SOI MOSFET浮体效应与抑制的研究

提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ强反型上的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位肛春对其他器件参数和各寄生电流成分的影响，成功地解释了器件处于背界面积累状态时的Ｋｉｎｋ现象和器件的异常击穿机理。根据所建乳体效应物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。