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Si基片上射频磁控溅射MgF2薄膜的光学常数研究
引用本文:史守华,何玉平,宋学萍,孙兆奇.Si基片上射频磁控溅射MgF2薄膜的光学常数研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2003,26(3).
作者姓名:史守华  何玉平  宋学萍  孙兆奇
作者单位:安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039
基金项目:国家自然科学基金资助项目(59972001),安徽省自然科学基金资助项目(01044901)
摘    要:用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250~830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减小,平均值增大;MgF2薄膜样品的吸收曲线k在波长λ为270nm和360nm处均出现由通过辐射产生的F心引起的吸收峰。

关 键 词:射频磁控溅射  MgF2薄膜  椭偏光谱  光学常数

Study of the optical constants of RF magnetron sputtering MgF2 films on Si substrates
Abstract:
Keywords:RF magnetron sputtering  MgF_2 film  spectroscopic ellipsometry  optical constants
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