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| Si空位缺陷对β-FeSi2电子结构和光学性质的研究 | |
| 作者姓名： | 邓永荣 闫万珺 张春红 周士芸 骆远征 张在玉 |
| 作者单位： | 安顺学院,安顺学院 |
| 基金项目： | 贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合基金资金资助[黔科合[LH字[2014]7507]；贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心资助课题 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSi2 缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算。结果表明，Si空位引起了晶格结构发生畸变，能带变窄，在价带与导带之间形成一个独立能带，费米面整体向上发生微小偏移，形成了P型半导体。对光学性质的研究发现，由于Si空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化, 静态介电常数 (0)增大； 的第一峰的位置向低能端移动，吸收系数发生微小红移。 |
| 关 键 词： | β-FeSi2；第一性原理；空位；电子结构；光学特性； |
| 收稿时间： | 2016-03-10 |
| 修稿时间： | 2016-05-17 |
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