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环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究
引用本文:王昭,侯汝燕.环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究[J].四川大学学报(自然科学版),2017,54(3):561-566.
作者姓名:王昭  侯汝燕
作者单位:德宏师范高等专科学校理工系
摘    要:利用石墨平面碳原子轨道作sp~2杂化时π电子的紧束缚模型,考虑波矢珗k周期性边界条件,构造了环状碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明环状碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性、结构参数及卷环周长,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.

关 键 词:环状碳纳米卷  紧束缚模型  电子结构  能隙  态密度
收稿时间:2015/11/26 0:00:00
修稿时间:2015/12/20 0:00:00

Tight Binding Studies on The Electronic Structure of Toroidal Carbon Nanoscrolls
WANG Zhao and HOU Ru-Yan.Tight Binding Studies on The Electronic Structure of Toroidal Carbon Nanoscrolls[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2017,54(3):561-566.
Authors:WANG Zhao and HOU Ru-Yan
Institution:De Hong Normal College and De Hong Normal College
Abstract:
Keywords:Toroidal carbon nanoscrolls  Tight-binding model  Electronic structure  Band gap  Density of state
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