| 用变角XPS技术定量计算超薄SiO2层厚度 |
| |
| 作者单位： | 严少平（安徽理工大学,数理系,安徽,淮南,232001）;汪贵华（南京理工大学,电光学院,江苏,南京,210094）;李锋（南京理工大学,电光学院,江苏,南京,210094）;顾广颐（安徽理工大学,数理系,安徽,淮南,232001） |
| |
| 基金项目： | 安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2001kj227zc) |
| |
| 摘 要： | 采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法.实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试.
|
| 关 键 词： | 变角XPS技术 光电子峰强度 超薄SiO2层厚度计算 |
| 文章编号： | 1003-5060(2003)03-0452-04 |
| 修稿时间： | 2002年12月18 |
Quantitative determining of the thickness of ultrathin SiO2 layer
based on the angle-dependent XPS technology |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
