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| 硅双栅MOS场效应晶体管的频率和增益特性 | |
| 作者姓名： | 方凯 |
| 作者单位： | 辽宁大学物理系 |
| 摘 要： | 本文是通过硅双栅MOS场效应晶体管(简写为DG-MOSFET'S)的等效电路,系统的推导出DG-MOSFET'S的最高工作频率和增益与结构和工艺参数的定量关系式,指出提高频率和增益的具体办法。并充分说明DG-MOSFET'S比硅单栅MOS场效应晶体管(简写为SG-MOSFET'S)的性能更为优越,而应用更加广泛。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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