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| PLZT在硅基板上的介电行为研究 | |
| 引用本文： | 未治奎,张超,焦永恒,王英,余大书. PLZT在硅基板上的介电行为研究[J]. 山西师范大学学报：自然科学版, 2010, 24(2): 55-58 |
| 作者姓名： | 未治奎 张超 焦永恒 王英 余大书 |
| 作者单位： | 天津师范大学物理与电子信息学院,天津,300389 |
| 摘 要： | 本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下(达120 MHz)测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,损耗为0.08,居里温度下介电常数是3 780,损耗为0.91.其在居里点附近弥散区域非常宽,通过计算得到弛豫时间的数量级为10-9 s. |
| 关 键 词： | PLZT铁电薄膜 弛豫型 电容器 Cole-Cole曲线 |
Dielectric Behavior of Lead Lanthanum Zirconate Titanate thin Film on Silicon Substrates |
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