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| ZnO压敏电阻小电流区非线性特性的机理分析 | |
| 引用本文： | 许毓春,王士良,胡寿祥.ZnO压敏电阻小电流区非线性特性的机理分析[J].华中科技大学学报(自然科学版),1986(6). |
| 作者姓名： | 许毓春 王士良 胡寿祥 |
| 作者单位： | 华中工学院固体电子学系 (许毓春，王士良)，华中工学院固体电子学系(胡寿祥) |
| 摘 要： | 本文根据ZnO压敏电阻器的导电机理指出,小电流区非线性特性主要受ZnO晶粒表面耗尽层中固定电荷的浓度、浓度分布以及晶界层界面态密度分布的影响。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |