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ZnSe/Zn1—xCdxSe非对称双量子阱中电子声子相互作用
引用本文:闫祖威,梁希侠.ZnSe/Zn1—xCdxSe非对称双量子阱中电子声子相互作用[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2001,32(2):169-177.
作者姓名:闫祖威  梁希侠
作者单位:[1]内蒙古农业大学基础部,内蒙古呼和浩特010018 [2]内蒙古大学物理学系,内蒙古呼和浩特010021
基金项目:国家自然科学基金,内蒙古自然科学基金,“321”人才工程项目和国家回国人员科研资助项目
摘    要:采用转移矩阵方法研究了ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构中界而光学(IO)声子模和电子-IO声子相互作用哈密顿量,发现IO声子的色散关系和电子-IO声子耦合强度是波矢的复杂函数,并且长波声子是主要的,使用简化的相干势近似数值计算ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构,结果表明高频声子与IO声子的相互作用较低频声子与IO声子的相互作用强。

关 键 词:异质结  量子阱  电子-声子相互作用  转移矩阵方法  硒化锌  界面光学  耦合强度  色散关系
文章编号:1000-1638(2001)02-0169-09
修稿时间:2000年8月22日

Electron-Phonon Interaction in ZnSe/Zn1-xCdxSe Asymmetric Double Quantum Well Structures
YAN Zu-wei.Electron-Phonon Interaction in ZnSe/Zn1-xCdxSe Asymmetric Double Quantum Well Structures[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol,2001,32(2):169-177.
Authors:YAN Zu-wei
Abstract:
Keywords:
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