| a－Si_（1－x）N_x：H光敏材料的研究 |
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| 引用本文： | 张志勇. a－Si_（1－x）N_x：H光敏材料的研究[J]. 西北大学学报(自然科学版), 1995, 0(3) |
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| 作者姓名： | 张志勇 |
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| 作者单位： | 西北大学电子科学系 |
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| 摘 要： | 讨论了用射频辉光放电装置制备的掺氮非晶硅（ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ）光敏薄膜材料的光电特性。结果表明，合理地控制氮气（Ｎ＿２）与硅烷（ＳｉＨ＿４）气体的流量比例（即Ｖ＿（Ｎ２）／Ｖ）以及其他有关的工艺参数，能够制备出暗电阻率ｐ＿Ｄ＞１０￣（１４）·ｃｍ，光、暗电导率比≥１０￣２，光电性能稳定的ａ－Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｎ＿ｘ：Ｈ光敏薄膜材料。
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| 关 键 词： | 光敏材料；非晶硅；感光体 |
A Study on the a-Si_(1-x)Nx:H Photosensitive Film |
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| Zhang Zhiyong. A Study on the a-Si_(1-x)Nx:H Photosensitive Film[J]. Journal of Northwest University(Natural Science Edition), 1995, 0(3) |
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| Authors: | Zhang Zhiyong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photosensitive materials amorphous silicon photoreceptor |
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