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掺杂磁垒纳米结构中的GMR效应及调控
引用本文:陈赛艳,杨达莉,蒋亚清,王星.掺杂磁垒纳米结构中的GMR效应及调控[J].四川大学学报(自然科学版),2018,55(2):339-344.
作者姓名:陈赛艳  杨达莉  蒋亚清  王星
作者单位:桂林理工大学
摘    要:通过在半导体异质结上的上下表面沉积两条平行的铁磁条带可获得一个巨磁阻器件.为了更好地调控其性能,我们从理论上研究了在该器件中加入δ势后,该器件的透射系数、电导和磁阻比率的变化情况.研究发现,加入δ势后,该器件同样具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率与加入δ势的权重和位置密切相关.因此,我们可以通过改变加入δ势的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器.

关 键 词:磁调制半导体  异质结    掺杂  巨磁阻效应  磁阻比率
收稿时间:2017/2/21 0:00:00
修稿时间:2017/4/4 0:00:00

Delta-doping-controllable magnetoresistance device in a magnetically modulated semiconductor nanostructure
CHEN Sai-Yan,YANG Da-Li,JIANG Ya-Qing and WANG Xing.Delta-doping-controllable magnetoresistance device in a magnetically modulated semiconductor nanostructure[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2018,55(2):339-344.
Authors:CHEN Sai-Yan  YANG Da-Li  JIANG Ya-Qing and WANG Xing
Institution:College of Science, Guilin University of Technology
Abstract:
Keywords:
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