| 脉冲激光作用于硅的受激发光特性 |
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| 引用本文： | 许丽,吕泉.脉冲激光作用于硅的受激发光特性[J].山西大同大学学报（自然科学版）,2011,27(1):33-36. |
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| 作者姓名： | 许丽 吕泉 |
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| 作者单位： | 1. 山西大同大学物理与电子科学学院,山西大同,037009
2. 贵州大学纳米光子物理研究所,贵州贵阳,550025;贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 用脉冲激光作用在硅基上产生表面等离子体波,在氧气和空气氛围中加工生成硅氧化量子点结构,有很强的光致荧光(PL)发光,发光效率可达20%;经高温快速退火处理后,在700 nm波长邻域观察到受激发光峰,检测到明显的光学增益和阈值行为,其受激发光峰最窄的半高宽可达0.5 nm。通过第一性原理模拟计算,发现硅氧化量子点结构表面钝化成键的类型与密度是形成受激发光的关键,并由此提出相应的物理模型。
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| 关 键 词： | 脉冲激光 硅氧化量子点 受激发光 |
Mechanism of Stimulated Emission on Nanocrystal Silicon by Irradiation of Laser |
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| XU Li,L Quan.Mechanism of Stimulated Emission on Nanocrystal Silicon by Irradiation of Laser[J].Journal of Shanxi Datong University(Natural Science Edition),2011,27(1):33-36. |
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| Authors: | XU Li L Quan |
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| Institution: | XU Li,L(U) Quan |
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