| 高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性 |
| |
| 引用本文： | 卢启海,韩根亮,吴志国,郑礴,宋玉哲,强进.高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性[J].兰州大学学报(自然科学版),2018(3). |
| |
| 作者姓名： | 卢启海 韩根亮 吴志国 郑礴 宋玉哲 强进 |
| |
| 作者单位： | 甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室;兰州大学物理科学与技术学院;甘肃省科学院纳米应用技术研究室 |
| |
| 摘 要： | 利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显著,不仅可确保HfO_2有较高的κ值(22),约为钝化前(κ=10)的两倍,还提高了器件的开启速度和开关比;器件亚阈值摆幅降低为钝化前的50%,开关比从钝化前的105提高至770,提高了约7倍,表明Si钝化是提高器件性能的关键.探讨了Ge-pMOSFET器件呈现双极性的原因,认为肖特基源、漏极在正向栅压下易击穿是导致该现象的主要因素.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
