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| 一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器 | |
| 引用本文： | 蔡昊成,毛陆虹,丛佳.一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器[J].南开大学学报,2020,53(1):61-64. |
| 作者姓名： | 蔡昊成 毛陆虹 丛佳 |
| 作者单位： | 天津大学电气自动化与信息工程学院,天津300072;天津大学电气自动化与信息工程学院,天津300072;天津大学电气自动化与信息工程学院,天津300072 |
| 摘 要： | 针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15 μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%. |
| 关 键 词： | Ka频段 功率放大器 GaN工艺 功率合成 |
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