| 非晶硅太阳电池中吸收层的氢稀释微控作用 |
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| 引用本文： | 盛子纶,史鹏飞,善奇,钟柯,杜浩,李天天.非晶硅太阳电池中吸收层的氢稀释微控作用[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2020,51(5):525-530. |
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| 作者姓名： | 盛子纶 史鹏飞 善奇 钟柯 杜浩 李天天 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021;内蒙古大学物理科学与技术学院自治区半导体光伏重点实验室,呼和浩特010021 |
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| 基金项目： | 2017年内蒙古大学高层次人才引进项目;内蒙古自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备非晶硅太阳电池,通过微量调节氢稀释(R_H),研究其对本征非晶硅吸收层的光学带隙及微结构的影响。实验结果显示当R_H由6.5增加到10时,本征非晶硅吸收层的光学带隙由1.796eV提高到1.973eV,电池效率随R_H的降低先升高后降低。并在R_H=7时达到最大值,此时的本征非晶硅薄膜的光学带隙约为1.836eV,其电池效率达到8.4%(V_(oc)=897.2mV,J_(sc)=14.86mA/cm~2,FF=62.96%)。实验表明R_H的提高并不能单调增加电池的效率。通过对微结构的分析发现,这主要是由于R_H过低或过高时,其Si-H_2键成分比例较高,微结构因子R较大,使得薄膜中缺陷较多所引起电池恶化导致的。
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| 关 键 词： | PECVD 氢稀释 微结构 非晶硅太阳电池 |
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