| 新型二维ZnO/InSe纳米复合材料电子结构与光催化性能的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 潘锐,张敏,贺勇,史俊杰.新型二维ZnO/InSe纳米复合材料电子结构与光催化性能的第一性原理研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2020,51(5):487-493. |
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| 作者姓名： | 潘锐 张敏 贺勇 史俊杰 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特010022;北京大学物理学院,北京100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;内蒙古自治区自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论方法,系统研究了新型二维ZnO/InSe异质结的电子结构和光催化性能。计算结果表明,二维ZnO/InSe异质结的晶格失配率为3.3%,形成能为-2.43eV,表明异质结的结构稳定。异质结表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为0.51和1.34eV,能够有效降低电子和空穴的复合率,提高ZnO/InSe异质结的光催化性能。二维ZnO/InSe异质结是带隙值为2.23eV的直接带隙半导体材料,对应有良好的可见光吸收范围,且光吸收系数高达10~5 cm~(-1),能够进一步提升光吸收效率。此外,异质结的带边位置分别跨过水的氧化还原电位,可用于光解水制备氢气。因此,二维ZnO/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料。
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| 关 键 词： | 二维ZnO/InSe异质结 电子结构 光催化性能 第一性原理计算 |
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