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| 用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅰ） | |
| 引用本文： | 张淑芝,黄伯标.用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅰ）[J].山东大学学报(自然科学版),1998,33(4):410-415. |
| 作者姓名： | 张淑芝 黄伯标 |
| 作者单位： | [1]山东大学光电系 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了讨论，给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值，Δ０的实验值与计算值符合的很好。 |
| 关 键 词： | 带隙 椭圆偏振光谱 化合物半导体 光学性质 |
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