| 孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响 |
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| 引用本文： | 齐红霞,赵波. 孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响[J]. 郑州大学学报(理学版), 2010, 42(4) |
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| 作者姓名： | 齐红霞 赵波 |
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| 作者单位： | 徐州师范大学,物理与电子工程学院,江苏,徐州,221116 |
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| 摘 要： | 用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.
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| 关 键 词： | 多孔硅 氧化锌 光致发光 |
Influence of Porosity on the Photoluminescence of ZnO/Porous Si |
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| QI Hong-xia , ZHAO Bo. Influence of Porosity on the Photoluminescence of ZnO/Porous Si[J]. Journal of Zhengzhou University(Natrual Science Edition), 2010, 42(4) |
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| Authors: | QI Hong-xia ZHAO Bo |
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