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| 离子束外延β—FeSi2／Si薄膜的电子能谱研究和表征 | |
| 引用本文： | 吴正龙,秦复光.离子束外延β—FeSi2／Si薄膜的电子能谱研究和表征[J].北京师范大学学报(自然科学版),1998,34(2):206-211. |
| 作者姓名： | 吴正龙 秦复光 |
| 作者单位： | [1]北京师范大学分析测试中心 [2]中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用电子能谱分析方法对低能离子束外延（ＩＢＥ）生长的β－ＦｅＳｉ２进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出ＸＰＳ价带谱与有关理论计算结果相符，用ＸＰＳ价带谱来表征β－ＦｅＳｉ２比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能ＩＢＥ生长机理进行了探讨。经研究认为：Ｆｅ，Ｓｉ通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Ｓｉ晶格相匹配的β－ＦｅＳｉ２ |
| 关 键 词： | 电子能谱 离子束外延 增强扩散 硅化铁 薄膜 |
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