|
|||||
|
|
| 用于高级CMOS技术的静电放电保护器与电路设计 | |
| 作者姓名： | 胡光华（评） |
| 作者单位： | 中国科学院物理学研究所高级软件工程师 |
| 摘 要： | 当技术进入纳米范畴时，伴随着静电放电（ESD）保护电路而来的挑战变得日益复杂。为了克服纳米ESD挑战，人们必须了解在很高的电流密度、高温瞬变下半导体器件的行为。因此寻找在这特定技术中合适的ESD解决方案就必须从器件的层次上开始。 |
| 关 键 词： | CMOS技术 静电放电 电路设计 保护器 半导体器件 保护电路 电流密度 ESD |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |