| GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性 |
| |
| 引用本文： | 蔺何,段海明.GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性[J].科学通报,2006,51(8):903-907. |
| |
| 作者姓名： | 蔺何 段海明 |
| |
| 作者单位： | 新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046 |
| |
| 基金项目： | 致谢 本文的部分研究工作是作者在中国科学院固体物理研究所访问学习时完成.感谢固体物理研究所曾雉研究员的指导和帮助.感谢新疆大学物理系张军教授对本文研究工作给予的大力支持.本工作受国家自然科学基金（批准号：10347010）资助. |
| |
| 摘 要： | 运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性, 计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法. 计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化, 变化趋势和实验结果吻合. 在包含两个Cr原子的体系中, Cr原子之间是铁磁性偶合, 每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近. 对于不同的掺杂浓度, Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合, Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化, 这与晶体的能带计算方法得到的结果一致.
|
| 关 键 词： | 稀磁半导体 密度泛函理论 原子团模型 第一性原理计算 电子结构 |
| 收稿时间： | 2005-11-02 |
| 修稿时间： | 2005-11-022005-12-31 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
