| 氮化铟(0001)面氧吸附研究 |
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| 引用本文： | 戴宪起,吴新华.氮化铟(0001)面氧吸附研究[J].河南师范大学学报(自然科学版),2005,33(3):185-185. |
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| 作者姓名： | 戴宪起 吴新华 |
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| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007;河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60476047) |
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| 摘 要： | 近年来,由于III族氮化物半导体InN及它的化合物在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已引起了人们极大的兴趣.是由于低的分解温度和高的氮平衡气相压力,使氮化铟的生长变得非常困难.直接生长的未掺杂InN薄膜都具有高的n型导电性1],其带隙的不确定性也为人们讨论的热点2].大多数人认为这些问题与氧有关,因此研究InN晶体表面的氧吸附是很有意义的.本文用第一原理赝势方法,采用超原胞模型,研究了氧原子在InN(0001)表面的吸附行为.在计算中,使用VASP,采用密度泛函理论和局域密度近似,In-4d电子作为价电子处理,价电子与离子实的相互作…
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| 关 键 词： | 吸附 氧 InN 第一原理 吸附能 |
| 文章编号： | 1000-2367(2005)03-0185-01 |
| 收稿时间： | 2005-03-15 |
| 修稿时间： | 2005年3月15日 |
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