| 氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态 |
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| 引用本文： | 涂军波,孙加林,洪彦若.氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态[J].北京科技大学学报,2005,27(3):317-320. |
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| 作者姓名： | 涂军波 孙加林 洪彦若 |
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| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;河北理工大学材料学院,唐山,063009
2. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.
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| 关 键 词： | 硅 刚玉氮化硅 氮化 赋存形态 氮化烧成 刚玉 硅材料 赋存形态 nitridation composites corundum silicon 富集 杂质相 完全 氮化硅 残留 硅生 破裂 硅颗粒 Sialon 外层 结果 温度 |
| 修稿时间： | 2004年4月30日 |
Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation |
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| Tu Junbo,SUN Jialin,HONG Yanruo.Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,2005,27(3):317-320. |
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| Authors: | Tu Junbo SUN Jialin HONG Yanruo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon corundum-silicon nitride nitridation morphology |
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