首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态
引用本文:涂军波,孙加林,洪彦若. 氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态[J]. 北京科技大学学报, 2005, 27(3): 317-320
作者姓名:涂军波  孙加林  洪彦若
作者单位:1. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;河北理工大学材料学院,唐山,063009
2. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083
摘    要:研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起.

关 键 词:  刚玉氮化硅  氮化  赋存形态  氮化烧成  刚玉  硅材料  赋存形态  nitridation  composites  corundum  silicon  富集  杂质相  完全  氮化硅  残留  硅生  破裂  硅颗粒  Sialon  外层  结果  温度
修稿时间:2004-04-30

Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation
Tu Junbo,SUN Jialin,HONG Yanruo. Morphology of silicon in corundum silicon-nitride composites after nitridation[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 2005, 27(3): 317-320
Authors:Tu Junbo  SUN Jialin  HONG Yanruo
Abstract:
Keywords:silicon  corundum-silicon nitride  nitridation  morphology
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号