| 低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用 |
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| 引用本文： | 夏曰源,雷震寰,王宜华,谭春雨,徐建伟,陆梅,孟卫国. 低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用[J]. 山东大学学报(理学版), 1987, 0(1) |
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| 作者姓名： | 夏曰源 雷震寰 王宜华 谭春雨 徐建伟 陆梅 孟卫国 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系，天津半导体技术研究所，天津半导体技术研究所，天津半导体技术研究所 |
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| 基金项目： | 中国科学院科学基金资助的课题 |
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| 摘 要： | 300eV的低能氩离子刻蚀与SIMS技术相结合,研究了高深度分辨率杂质深度分布测定的可能性。采用石英晶体的频率变化与微量天平称重的方法对~(48)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率进行了校准。实验表明,离子刻蚀去层度的精度可以达12左右;经过~40)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率与未经~(40)Ar~+注入的Si试样有明显的差别。测定了300keV的~(40)Ar~+离子注入Si中的深度分布,测量结果与理论计算进行了对比。
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| 关 键 词： | 高深度分辨率 离子刻蚀 SIMS测示 |
HIGH RESOLUTION IMPURITY PROFILE MEASUREMENTS BY USE OF LOW ENERGY ARGON ION MILLING |
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| Xia Yueyuan Lei Zhenhuan Wang Yihua Tan Chunyu Xu Jianwei Lu Mei Meng Weiguo. HIGH RESOLUTION IMPURITY PROFILE MEASUREMENTS BY USE OF LOW ENERGY ARGON ION MILLING[J]. Journal of Shandong University, 1987, 0(1) |
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| Authors: | Xia Yueyuan Lei Zhenhuan Wang Yihua Tan Chunyu Xu Jianwei Lu Mei Meng Weiguo |
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| Affiliation: | Xia Yueyuan Lei Zhenhuan Wang Yihua Tan Chunyu Xu Jianwei Lu Mei Meng Weiguo |
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| Abstract: | Low energy argon ion milling combined with SIMS measurment is used to study the possibility of high resolution impurity profile.The etching rate of silicon wafer implanted with ~(40) At~+ ions is determined by using a quartz resonator and a microbalance.Experiments show that the thickness removed by the argon ion sputtering can be determinedto the accuracy of 12 (?).The difference of etching rate of the silicon wafer implanted with ~(40) Ar~+ ions and the wafer unimplanted is remarkable.The depth profile of argon in the silicon sample implanted with 300keV ~(40) Ar~+ ions is measured by using this method.Comparison between experimental result and theoretical calculation is conductedas well. |
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| Keywords: | high depth resolution ion milling SIMS measurment |
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