首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高压硅整流元件内部放电的试验研究
作者单位:西安整流器厂二车间,永济电机厂元件车间,西安交大电工材料研究室
摘    要:随着大功率硅器件耐电压水平的提高,在元件生产过程中出现了一系列新的矛盾。西安交大电工材料研究室与西安整流器厂及铁道部永济电机厂协作,对在生产中出现的元件内部放电导致元件损坏问题,进行了实验分析。通过实验研究,搞清了元件内部放电的主要原因是在氩弧焊封结过程中,在元件内部引入耐电强度比空气为低的氲气,并因封结时,管壳被加热,密封后元件内部形成了低的气压,因此在元件管心台面上易于产生局部放电,破坏管心台面绝缘,导致元件损坏。文中还介绍了多种改进管心台面绝缘强度,提高表面放电电压的方法。通过工厂实践,认为二次保护有效,现已基本上解决了此一技术问题,提高了元件成品率,取得了实际的经济效果。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号