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提高CDs光敏电阻最高工作电压的一种方法
作者姓名:鲍凤岐  梁运章  吕慎行  阎鸣  李国栋
作者单位:内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系,内蒙古大学物理系
摘    要:用 Cds 光敏电阻探测光讯号的线路图如图一。R 为 Cds 光敏电阻的暗电阻,R_L 为负载电阻,E 是偏压。R.H.Harada 用此线路推导了跨在负载电阻上的讯号或光生电压ΔV 为:ΔV=Δi/q_L=Eq_LΔq/(q+q_L)(q+Δq+q_L)如果Δq 比 q 或 q_L 小很多,上式可以简化为ΔV=Eq_LΔq/(q+q_L)~2……(1)其中:q=1/R;q_L=1/R_L;Δq 为光电导。从公式(1)可以看到,在一定的光讯号下引起的讯号电压ΔV 依赖於 E,Δq,q_L.R_L 值的选取要考虑和光敏电阻匹配。为了提高讯号电压,一个途径是,用在 Cds 光敏电阻中掺入灵敏中心,形成电荷倍增效应来提高Δq,但这种方法对弱光探测不太合适,因为它可能带来严重的噪声.另一个途径从公式(1)看到,可以提高 Cds 光敏电阳的工作电压。ΔV 和 E 成正比。一般的

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