| 工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计 |
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| 引用本文： | 魏全,傅兴华,王元发.工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计[J].贵州大学学报(自然科学版),2012,29(6):72-75. |
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| 作者姓名： | 魏全 傅兴华 王元发 |
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| 作者单位： | 贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州大学研究生创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.
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| 关 键 词： | 纯MOS管 自偏置共源共栅 基准电压源 亚阈区 温度系数 |
A Research of Pure-MOS Reference Voltage in Subthreshold |
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| WEI Quan
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FU Xing-hua
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WANG Yuan-fa.A Research of Pure-MOS Reference Voltage in Subthreshold[J].Journal of Guizhou University(Natural Science),2012,29(6):72-75. |
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| Authors: | WEI Quan FU Xing-hua WANG Yuan-fa |
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| Institution: | (Guizhou Provincial Key Lab for Micro-Nano-Electronics and Software,Guizhou University,Guiyang 550025,China) |
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