650V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究

功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件，因其功率大，驱动简单，应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件，主要应用于汽车充电桩等电源管理，力求在保持参数不变的前提下，优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能，研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明，槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡，槽偏移不论正负，只要是在同一水平位置，那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下，随着浓度的增加，其击穿电压和导通电阻都缓慢下降，并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。