| 磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 |
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| 作者姓名： | 于广华 马纪东 朱逢吾 柴春林 |
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| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料物理系,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金（批准号:19890310），北京市自然科学基金（批准号:2012011）资助项目 |
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| 摘 要： | 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层，利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜，采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析，结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应；15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3，该反应使得界面有“互混层”存在，从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。
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| 关 键 词： | 磁性多层膜 缓冲层 SiO2／Ta界面 界面反应 X射线光电子能谱 界面结构 磁控溅射法 巨磁电阻效应 |
| 收稿时间： | 2002-01-04 |
| 修稿时间： | 2002-01-04 |
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