| MOCVD 生长GaN的表面形貌及缺陷研究 |
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| 引用本文： | 李述体, 江风益, 范广涵, 王立, 莫春兰, 方文卿. MOCVD 生长GaN的表面形貌及缺陷研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2004, (2): 63. |
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| 作者姓名： | 李述体 江风益 范广涵 王立 莫春兰 方文卿 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;南昌大学材料科学研究所,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关计划资助项目(00-068)，华南师范大学博士启动资金资助项目(660119) |
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| 摘 要： | 采用自制MOCVD和ThomasSwanMOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.利用光学显微镜获得了GaN外延膜表面形貌随Si、Mg掺杂量不同的变化规律以及表面缺陷等信息.研究表明,随掺Si量增大,GaN外延膜的表面变粗糙,结晶品质下降.在电子浓度达2×1019cm-3以上时,GaN外延膜表面出现龟裂.对GaN进行Mg掺杂,外延膜表面出现岛状突起,且随Mg掺杂量增大,岛状突起数目增多.观察到了MOCVD生长的GaN的六角状岛、龟裂、条状缺陷等典型缺陷.
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| 关 键 词： | GaN MOCVD 光学显微镜 表面形貌 缺陷 |
| 文章编号： | 1000-5463(2004)02-0063-04 |
| 修稿时间： | 2003-09-26 |
THE MORPHOLOGY AND DEFECTS OF GAN GROWN BY MOCVD |
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| LI Shu-ti,JIANG Feng-yi,FAN Guang-han,WANG Li,MO Chun-lan,FANG Wen-qing. THE MORPHOLOGY AND DEFECTS OF GAN GROWN BY MOCVD[J]. Journal of South China Normal University(Natural Science Edition), 2004, 0(2): 63-66 |
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| Authors: | LI Shu-ti JIANG Feng-yi FAN Guang-han WANG Li MO Chun-lan FANG Wen-qing |
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| Affiliation: | LI Shu-ti~1,JIANG Feng-yi~2,FAN Guang-han~1,WANG Li~2,MO Chun-lan~2,FANG Wen-qing~2, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN MOCVD optical microscope surface morphology defect |
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