| MOCVD 生长GaN的表面形貌及缺陷研究 |
| |
| 引用本文： | 李述体,江风益,范广涵,王立,莫春兰,方文卿.MOCVD 生长GaN的表面形貌及缺陷研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2004,0(2):63-66. |
| |
| 作者姓名： | 李述体 江风益 范广涵 王立 莫春兰 方文卿 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631;南昌大学材料科学研究所,江西,南昌,330047 |
| |
| 基金项目： | 国家科技攻关计划资助项目(00-068)，华南师范大学博士启动资金资助项目(660119) |
| |
| 摘 要： | 采用自制MOCVD和ThomasSwanMOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.利用光学显微镜获得了GaN外延膜表面形貌随Si、Mg掺杂量不同的变化规律以及表面缺陷等信息.研究表明,随掺Si量增大,GaN外延膜的表面变粗糙,结晶品质下降.在电子浓度达2×1019cm-3以上时,GaN外延膜表面出现龟裂.对GaN进行Mg掺杂,外延膜表面出现岛状突起,且随Mg掺杂量增大,岛状突起数目增多.观察到了MOCVD生长的GaN的六角状岛、龟裂、条状缺陷等典型缺陷.
|
| 关 键 词： | GaN MOCVD 光学显微镜 表面形貌 缺陷 |
| 文章编号： | 1000-5463(2004)02-0063-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月26日 |
THE MORPHOLOGY AND DEFECTS OF GAN GROWN BY MOCVD |
| |
| LI Shu-ti,JIANG Feng-yi,FAN Guang-han,WANG Li,MO Chun-lan,FANG Wen-qing.THE MORPHOLOGY AND DEFECTS OF GAN GROWN BY MOCVD[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2004,0(2):63-66. |
| |
| Authors: | LI Shu-ti JIANG Feng-yi FAN Guang-han WANG Li MO Chun-lan FANG Wen-qing |
| |
| Institution: | LI Shu-ti~1,JIANG Feng-yi~2,FAN Guang-han~1,WANG Li~2,MO Chun-lan~2,FANG Wen-qing~2, |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN MOCVD optical microscope surface morphology defect |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《华南师范大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
|
