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| 纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底 |
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| 引用本文： | 周平,任霄钰,梁望,苑进社 . 纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底 [J]. 重庆师范大学学报(自然科学版), 2014, 0(3): 97-99 |
| 作者姓名： | 周平 任霄钰 梁望 苑进社 |
| 作者单位： | 重庆师范大学 物理与电子工程学院,重庆401331;光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331 |
| 摘 要： | 采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。 |
| 关 键 词： | 纳米压印 GaN纳米柱 PL谱 |
GaN Nanocolumns Patterned Substrates on Silicon Prepared by Nanoimprint Lithography |
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| ZHOU Ping,REN Xiao-yu,LIANG Wang,YUAN Jin-she . GaN Nanocolumns Patterned Substrates on Silicon Prepared by Nanoimprint Lithography [J]. Journal of Chongqing Normal University:Natural Science Edition, 2014, 0(3): 97-99 |
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| Authors: | ZHOU Ping REN Xiao-yu LIANG Wang YUAN Jin-she |
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