| 基于双离子注入法的新型PSD结构 |
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| 引用本文： | 李倩,李田泽,陈祥鹏.基于双离子注入法的新型PSD结构[J].山东理工大学学报,2015(1):58-61. |
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| 作者姓名： | 李倩 李田泽 陈祥鹏 |
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| 作者单位： | 山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255049 |
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| 摘 要： | 在分析半导体光电位置敏感探测器(PSD)传统结构的基础上,采用双离子注入方法,研究一种新型的PSD结构.这种新型结构通过在N型硅衬底分别注入一种高剂量、低能量的硼离子和另一种高能量的硼离子形成,离子注入后在1 050℃扩散炉中氧气保护退火2h,形成浅和低掺杂的PN结.实验结果表明,新型PSD结构可获得较高的位置分辨率、较小的响应时间误差及非线性.
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| 关 键 词： | 新型PSD结构 双离子注入 退火 |
New PSD structure based on a dual ion implantation |
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| LI Qian,LI Tian-ze,CHEN Xiang-peng.New PSD structure based on a dual ion implantation[J].Journal of Shandong University of Technology:Science and Technology,2015(1):58-61. |
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| Authors: | LI Qian LI Tian-ze CHEN Xiang-peng |
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| Institution: | LI Qian;LI Tian-ze;CHEN Xiang-peng;School of Electrical and Electronic Engineering,Shandong University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | the new PSD structure dual ion implantation annealing |
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