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| GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析 | |
| 引用本文： | 宋友林,王玉仓,姚乾凯,贾瑜.GaAs(114)A表面投影能带和表面态分析[J].郑州大学学报(理学版),2002,34(1):21-24. |
| 作者姓名： | 宋友林 王玉仓 姚乾凯 贾瑜 |
| 作者单位： | 1. 河南教育学院物理系,郑州,450053 2. 南阳第四师范学校物理教研室,南阳,473000 3. 郑州大学物理工程学院,郑州,450052 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金(0111050400);河南省青年骨干教师基金项目. |
| 摘 要： | 基于GaAs(114)A表面的几何结构，采用散射理论的格林函数方法，首次从理论上计算了GaAs（114）A表面的电子结构，得到了该表面的投影能带结构，并从键合结构上分析了各表面态的轨道特征和色散特性，结果表明，在基本带隙中有4个表面态，异极带隙中有2个表面态，这些表面态分别与表面的离子悬挂键相对应。 |
| 关 键 词： | 散射理论 高密勒指数表面 电子结构 表面态 半导体 几何结构 砷化镓 GaAs 投影能带 |
| 文章编号： | 1671-6841(2002)01-0021-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月20 |
Analys of Projected Band Structure and Electronic States of GaAs(114)A Surface |
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