| 改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法 |
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| 引用本文： | 白宏光,葛虹宇.改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法[J].辽宁大学学报(自然科学版),1996,23(1):61-65. |
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| 作者姓名： | 白宏光 葛虹宇 |
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| 作者单位： | 辽宁晶体管厂 |
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| 摘 要： | 本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。
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| 关 键 词： | 大功率晶体管 二次击穿 特征频率 高频晶体管 |
A Special Design for Enhance f_T to Inproving Secend Breakdown of High- Frequency-Big Power Transistor |
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| Bai Hongguang,Ge Hongyu.A Special Design for Enhance f_T to Inproving Secend Breakdown of High- Frequency-Big Power Transistor[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),1996,23(1):61-65. |
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| Authors: | Bai Hongguang Ge Hongyu |
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| Institution: | Liaoning Transistor Factory |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | High-frequency-big power transistor Second breakdown Current crowding effect Characteristic frequency f_T |
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