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高压二极管中子,电子和γ辐照特征的研究
作者姓名:施毅 吴凤美
作者单位:南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,河北半导体研究所
摘    要:本文对加固P~ nn~ 高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流了寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明.由于采用了新工艺、新材料使器件具有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征.

关 键 词:二极管  辐照特征
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