| 新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究 |
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| 引用本文： | 邓小燕,杨春,郁卫飞,李金山.新鲜多孔硅(001)表面结构与电子特性理论研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2006,29(3):329-332. |
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| 作者姓名： | 邓小燕 杨春 郁卫飞 李金山 |
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| 作者单位： | 1. 四川师范大学,计算机软件重点实验室,四川,成都,610066
2. 中国工程物理研究院,化工材料研究所,四川,绵阳,621000 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);中国物理研究院科研项目;四川省应用基础研究计划 |
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| 摘 要： | 在周期边界条件下的k空间中,采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势法,建立H12S i31几何模型来对表面主要被H覆盖的新鲜多孔硅(Porous S ilicon,PS)(001)表面最外层的S i—H键的几何结构和电子特性进行初步的理论研究.计算得到氢化PS(001)表面几何结构S i—H键长为0.148 nm、H—S i—H键角为106°,并通过原子布居数、电子密度图分析得到氢化PS表面原子的电子特性.
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| 关 键 词： | 多孔硅 密度泛函理论 表面结构 |
| 文章编号： | 1001-8395（2006）03-0329-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-10 |
| 修稿时间： | 2005年8月10日 |
Theorical Study on Electronic Properties and (001) Surface Structure of Fresh Porous Silicon |
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| DENG Xiao-yan,YANG Chun,YU Wei-fei,LI Jin-shan.Theorical Study on Electronic Properties and (001) Surface Structure of Fresh Porous Silicon[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2006,29(3):329-332. |
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| Authors: | DENG Xiao-yan YANG Chun YU Wei-fei LI Jin-shan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Porous silicon Density functional theory Surface structure |
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