EUV光刻技术进展 |
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作者姓名: | 占平平 刘卫国 |
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作者单位: | 西安工业大学光电工程学院,陕西西安710032 |
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摘 要: | 极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),是以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源,EUV技术最明显的特点是曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。本文介绍了EUV的光刻原理和EUV光源的选择,以及EUV对掩膜版和光刻胶的技术要求,以及EUV的发展趋势。
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关 键 词: | 极紫外光刻 UV光源 掩模 光刻胶 |
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