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| Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征 | |
| 引用本文： | 宋友林,王玉仓,贾瑜,姚乾凯.Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征[J].河南教育学院学报(自然科学版),2001,10(4):13-15. |
| 作者姓名： | 宋友林 王玉仓 贾瑜 姚乾凯 |
| 作者单位： | 1. 河南教育学院物理系,河南,郑州,450053 2. 南阳第四师范学校,河南,南阳,473000 3. 郑州大学物理工程学院,河南,郑州,450052 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金 (0 1110 5 0 40 0 )，河南省青年骨干教师基金 |
| 摘 要： | 在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3模型基础上,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的(311)A表面的电子结构,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构,并给出了GaAs的(311)A表面的层态密度函数,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和(311)A表面的共同电子结构特征,计算结果与实验结果基本一致. |
| 关 键 词： | 格林函数 紧束缚方法 高弥勒指数表面 表面态 能带结构 |
| 文章编号： | 1007-0834(2001)04-13-03 |
| 修稿时间： | 2001年9月30日 |
Electronic Prorerties of Ⅲ-Ⅴ(311)A Surfaces |
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| SONG You lin a,WANG Yu cang c,JIA Yu b,YAO Qian kai b.Electronic Prorerties of Ⅲ-Ⅴ(311)A Surfaces[J].Journal of Henan Education Institute(Natural Science Edition),2001,10(4):13-15. | |
| Authors: | SONG You lin a WANG Yu cang c JIA Yu b YAO Qian kai b |
| Abstract: | Using the scattering theoretic method and employing the second nearest neighbor tightbinding formalism to describe the bulk electronic structure,we calculated the surface electronic structure of GaAs?InSb?InAs and GaP(311)A surfaces,and presented the surface projected band structures.The electron properties,such as localization and dispersion of this surface states are discussed.Our results are in agreement with the experiments. |
| Keywords: | High Miller index surface surface states surface electronic structure |
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