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具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片
引用本文:黄华茂,胡金勇,王洪. 具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2014, 42(8): 14-20
作者姓名:黄华茂  胡金勇  王洪
作者单位:华南理工大学物理与光电学院//广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州,510640
基金项目:国家“863”计划项目,广东省战略性新兴产业发展专项资金资助项目,华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
摘    要:图形化反射镜能提高LED芯片的光提取效率.在蓝宝石衬底背面制备三角周期排列的微米尺寸Si O2圆台形结构,再沉积金属Al,构成图形化反射镜.基于Monte Carlo光线追迹方法的三维光学仿真表明,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可使芯片光提取效率提升7.5%.实验测试结果表明,输入电流为20m A时,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可提升芯片输出光功率8.4%,而芯片的电学性能无恶化.基于有限元方法的二维热力学仿真讨论表明,图形化反射镜有利于芯片获得更低的温度和热应力,且微结构附近的应力集中对芯片性能的影响可忽略.

关 键 词:图形化反射镜  LED芯片  出光效率  热应力

GaN-Based Light-Emitting Diode Chip with Patterned Al Backside Reflector
Huang Hua-mao,Hu Jin-yong,Wang Hong. GaN-Based Light-Emitting Diode Chip with Patterned Al Backside Reflector[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2014, 42(8): 14-20
Authors:Huang Hua-mao  Hu Jin-yong  Wang Hong
Affiliation:Huang Hua-mao;Hu Jin-yong;Wang Hong;School of Physics and Optoelectronics,South China University of Technology/ /Engineering Research Center for Optoelectronics of Guangdong Province;
Abstract:
Keywords:patterned backside reflector  light-emitting diode chip  light-output efficiency  thermal stress
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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