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| GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究 | |
| 引用本文： | 戴国瑞,姜秀英,武壮文,励映群,刘玉梅,路鹏.GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究[J].吉林大学学报(理学版),1983(2). |
| 作者姓名： | 戴国瑞 姜秀英 武壮文 励映群 刘玉梅 路鹏 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系半化教研室，吉林大学电子科学系半化教研室，吉林大学电子科学系半化教研室，吉林大学电子科学系半化教研室，吉林大学长春半导体厂，吉林大学长春半导体厂 半导体系七七级学生，半导体系七七级学生 |
| 摘 要： | 本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用标准的平面工艺,以自生氧化物作掩蔽膜,试制了变容二极管。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |