| n阱LDMOS伏安特性线性区的分析 |
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| 引用本文： | 高珊,孟坚,陈军宁,丁浩.n阱LDMOS伏安特性线性区的分析[J].安徽大学学报(自然科学版),2005,29(2):55-59. |
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| 作者姓名： | 高珊 孟坚 陈军宁 丁浩 |
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| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);2004AA1Z1060; |
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| 摘 要： | 对小电压下的LDMOS伏安特性线性区进行了分析。为了避免求解复杂的偏微分方程并且得到解析的结果,这里采用了将场区等效为积累层电阻、扩展电阻、体电阻和漏极分布电阻的串联等效电路。根据LDMOS的结构特点分别给出了各个电阻的具体计算方法。最后给出了精确的LDMOS导通电阻表达式。
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| 关 键 词： | LDMOS 分布电阻 等效电路 |
| 文章编号： | 1000-2162(2005)02-0055-05 |
The analysis in linear region of n-well LDMOS voltage- current characteristic |
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| GAO Shan,MENG Jian,CHEN Jun-ning,DING hao.The analysis in linear region of n-well LDMOS voltage- current characteristic[J].Journal of Anhui University(Natural Sciences),2005,29(2):55-59. |
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| Authors: | GAO Shan MENG Jian CHEN Jun-ning DING hao |
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| Abstract: | In this paper we analyze linear region of n-well LDMOS voltage- current characteristic at low voltage.In order to avoid the complex differential equations and get an analytic result,we provide an equivalent series circuit of the drift region,including the resistance of accumulation layer,the distributed resistance,the body resistance and the distributed resistance at drain.The methods for every resistance are given out in details according to the structure of LDMOS.An accurate expression of LDMOS on-resistance is obtained in the end. |
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| Keywords: | LDMOS distributed resistance equivalent circuit |
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