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磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc—ZrCN/a—C:H(N)复合膜
引用本文:周奎,张旭,覃礼钊,廖斌,吴先映.磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc—ZrCN/a—C:H(N)复合膜[J].北京师范大学学报(自然科学版),2008,44(5).
作者姓名:周奎  张旭  覃礼钊  廖斌  吴先映
作者单位:北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京市辐射中心,100875,北京
摘    要:采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr-C, C=C(sp2)和C-C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大.

关 键 词:磁过滤阴极真空弧法(FCVA)  纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜  气体流量

NANOCOMPOSITE nc-ZrCN/a-C:H(N) FILM SYNTHESIZED BY FILTERED CATHODIC VACUUM ARC TECHNIQUE
ZHOU Kui,ZHANG Xu,QIN Lizhao,LIAO Bin,WU Xianying.NANOCOMPOSITE nc-ZrCN/a-C:H(N) FILM SYNTHESIZED BY FILTERED CATHODIC VACUUM ARC TECHNIQUE[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2008,44(5).
Authors:ZHOU Kui  ZHANG Xu  QIN Lizhao  LIAO Bin  WU Xianying
Abstract:
Keywords:
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