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| 高纯度溅射靶 | |
| 摘 要： | 半导体元件的微型化是通过布线的微细化实现的。为了解决在微细化的同时所产生的α线软错误、位移和接点的合金疤痕问题,要求溅射靶必须高纯度化和复合化。本文将重点叙述这些问题。 1 高纯度A1靶 为使元仆性能得以稳定,作为布线材料的A1必须是高纯度的。MOSLSI在高集成化的 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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