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产生1.3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统
引用本文:王云才,李盂春.产生1.3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统[J].太原理工大学学报,1995(4).
作者姓名:王云才  李盂春
摘    要:分析了半导体激光器(LD)增益开关的理论特性。直接调制1.3μm国产双异质结InGaAs激光器得到重复频率为1.1GHz,脉宽为25~50ps的超短光脉冲。

关 键 词:超短光脉冲  增益开关半导体激光器  射频调制
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