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产生1.3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统
引用本文:
王云才,李盂春.产生1.3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统[J].太原理工大学学报,1995(4).
作者姓名:
王云才
李盂春
摘 要:
分析了半导体激光器(LD)增益开关的理论特性。直接调制1.3μm国产双异质结InGaAs激光器得到重复频率为1.1GHz,脉宽为25~50ps的超短光脉冲。
关 键 词:
超短光脉冲
增益开关半导体激光器
射频调制
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