| 混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究 |
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| 引用本文： | 林之融,俞容文,郑健生,颜炳章.混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1996(6). |
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| 作者姓名： | 林之融 俞容文 郑健生 颜炳章 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制．
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| 关 键 词： | 混晶，光致发光，束缚激子 |
Studies on Photoluminescence Spectra of Semiconductor Alloy GaAs_(1-x)P_x: N(x=0. 4) |
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| Lin Zhirong, Yu Rongwen, Zhen Jiansheng, Yan Bingzhang.Studies on Photoluminescence Spectra of Semiconductor Alloy GaAs_(1-x)P_x: N(x=0. 4)[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1996(6). |
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| Authors: | Lin Zhirong Yu Rongwen Zhen Jiansheng Yan Bingzhang |
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| Institution: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor alloy Photoluminescence Bound exciton |
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