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纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究
引用本文:李明华,宋淑芳.纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2000,31(4):376-379.
作者姓名:李明华  宋淑芳
作者单位:内蒙古大学物理学系
摘    要:在真空度为133.3μPa时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。通过XRD,SEM等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的SnO2薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Bi有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Bi后,薄膜的电学特性增强,而掺In,Cd则影响不大。

关 键 词:结构  性能  纳米二氧化锡薄膜  制备  半导体

Studies of the Preparation,Structure and Properties of the Nano-SnO2 Thin Films
Abstract:
Keywords:
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