| GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量 |
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| 引用本文： | 冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J].中国科学(G辑),2003,33(2):122-125. |
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| 作者姓名： | 冯淦 朱建军 沈晓明 张宝顺 赵德刚 王玉田 杨辉 梁骏吾 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:69825107)，国家杰出青年基金(批准号:5001161953)，NSFC-RGC联合基金(批准号:N_HKU028/00) |
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| 摘 要： | 提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 μm为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.
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| 关 键 词： | X射线双晶衍射 厚度 GaN |
| 收稿时间： | 2002-09-12 |
| 修稿时间： | 2003-02-18 |
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