| 分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能 |
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| 引用本文： | 吴静,尚勋忠.分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能[J].湖北大学学报(自然科学版),2006,28(3):260-262. |
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| 作者姓名： | 吴静 尚勋忠 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院 湖北武汉430062 |
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| 基金项目： | 湖北省铁电压电材料与器件重点实验室(湖北大学)开放基金资助 |
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| 摘 要： | 采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.
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| 关 键 词： | 分子束外延 InGaP/GaAs X-Ray 光荧光 霍尔测量 |
| 文章编号： | 1000-2375(2006)03-0260-03 |
| 收稿时间： | 11 8 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年11月8日 |
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source |
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| WU Jing,SHANG Xun-zhong.Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2006,28(3):260-262. |
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| Authors: | WU Jing SHANG Xun-zhong |
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| Institution: | School of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy InGaP/GaAs X-Ray photoluminescence Hall |
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